专业团队

公司研发团队的基础是2011年引进的以王占国院士为首的7名中科院半导体所研究员所组成的广东省创新科研团队。多年来，公司自主培养了一支高水平研发团队，团队成员分别来自于西安电子科技大学，北京大学，中国科学技术大学，香港大学等知名院校。

目前，公司通过加强产、学、研合作，建有中科院半导体所-天域碳化硅技术研究院、与厦门大学联合培养硕博研究生、西安交通大学联合培养博士后，设立广东省博士后创新实践基地，吸引和培育高层次人才。依托3个省级工程研究中心（广东省工程研究中心、广东省工程技术研究中心、广东省博士工作站）以及东莞松山湖企业研发机构的技术创新平台，提高研发团队的研发水平。

（1）标准化工作

天域是SiC外延行业的引领者，制定SiC半导体相关国际标准1项，国家标准11项，团体标准12项、企业标准4项，累计承担或参与国家、省、市各级科研科技项目9项。

（2）知识产权保护

公司拥有SiC外延全套核心技术，均为自主研发，作为保护，申请专利70余项；累计发表高水平论文20余篇。

（3）体系认证

获得ISO45001、ISO14001及TS/IATF-16949汽车质量管理体系认证。

（4）重要技术突破

公司坚持自主科技创新的发展理念，天域半导体在4H-SiC外延材料产业化、器件结构材料生长技术、外延材料检测分析与标准化等方面开展了深入系统的研发工作，突破了n、p型原位掺杂与控制技术、快速外延及厚膜生长技术、实现了4、6英寸4H-SiC外延晶片全系列产品的批量生产。

与此同时，公司也已提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设，目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。

Ø 国内最早实现6英寸外延晶片量产

Ø 20 kV级以上的厚外延生长实现

Ø 缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术

Ø 多层连续外延生长技术