专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产15年
全球碳化硅外延片主要生产商
广东天域半导体股份有限公司成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业，也是国内第一家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅半导体材料企业。
经过十余年的技术积累沉淀，公司已发展成为全球碳化硅外延片的主要供应商，在产品技术参数和客户器件良率等方面已达国际领先水平，是我国碳化硅领域少数具备国际竞争力的企业之一。公司拥有国际最顶尖的碳化硅外延设备，凭借先进的外延工艺为客户提供N型、P型掺杂半导体材料，可制作650V~3300V、3300V~20000V单极和双极功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等，这些功率器件广泛应用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、智能电网、工业电源等领域。
公司宗旨：促进第三代（宽禁带）半导体产业的发展，成为全球碳化硅外延片的主要生产商之一，以先进的碳化硅外延生长技术为客户提供优良产品和服务。
天域拥有一支高水平研发团队，团队成员分别来自于西安电子科技大学、北京大学，中国科学技术大学，香港大学等知名院校。
天域是SiC外延行业的引领者，制定行业相关国际标准1项、国家标准11项、团体标准12项、企业标准4项，累计承担或参与国家、省、市各级科技项目10项。
天域拥有SiC外延的全套核心技术，均为自主研发，作为保护，申请专利100多项。累计发表高水平论文27篇(SCI/EI收录论文16篇)。
天域坚持自主科技创新的发展理念，在4H-SiC外延材料产业化、器件结构材料生长技术、外延材料检测分析与标准化等方面开展了深入系统的研发工作，突破了
n、p型原位掺杂与控制技术、快速外延及厚膜生长技术、实现了4、6、8英寸4H-SiC外延晶片全系列产品的批量生产。
Ø 国内最早实现6英寸外延晶片量产
Ø 领先的20 kV级以上的厚外延生长
Ø 缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术
Ø 多层连续外延生长技术
Ø 领先的外延材料缺陷密度和均匀性控制技术
